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金字塔形的电容结构及其制造方法

摘要

本发明是有关于一种电容结构,具有一般为金字塔形或阶梯形的轮廓,以预防或减少介电层的崩溃。此电容结构包括一第一导电层、至少一介电层位于第一导电层上以及一第二导电层位于介电层上。介电层具有一第一面积。第二导电层具有一第二面积,第二面积小于介电层的第一面积。本发明还揭示一种制作电容结构的方法,可抵抗介电层的边缘崩溃。

著录项

  • 公开/公告号CN100390991C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-05-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN200610056990.6

  • 申请日2006-03-07

  • 分类号H01L27/00(20060101);H01L27/02(20060101);H01L27/06(20060101);H01L27/102(20060101);H01L27/108(20060101);H01L29/92(20060101);H01L21/00(20060101);H01L21/02(20060101);H01L21/82(20060101);H01L21/8222(20060101);H01L21/8242(20060101);

  • 代理机构11019 北京中原华和知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人寿宁;张华辉

  • 地址 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路8号

  • 入库时间 2022-08-23 09:00:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-05-28

    授权

    授权

  • 2006-12-06

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-10-04

    公开

    公开

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