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金字塔形的电容结构及其制作方法

摘要

本发明是关于一种金字塔形的电容结构及其制作方法。该电容结构具有一般为金字塔形或阶梯形的轮廓,以预防或减少介电层的崩溃。此电容结构包括一第一导电层、至少一介电层位于第一导电层上以及一第二导电层位于介电层上。介电层具有一第一面积。第二导电层具有一第二面积,第二面积小于介电层的第一面积。本发明亦揭露一种制作电容结构的方法。

著录项

  • 公开/公告号CN1832206A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2006-09-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN200510103331.9

  • 发明设计人 黄坤铭;汪业杰;

    申请日2005-09-16

  • 分类号H01L29/92;H01L27/00;H01L27/04;H01L27/10;H01L27/108;H01L21/00;H01L21/02;H01L21/82;H01L21/8242;

  • 代理机构北京中原华和知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人寿宁

  • 地址 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号

  • 入库时间 2023-12-17 17:38:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-09-14

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L29/92 公开日:20060913 申请日:20050916

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2006-10-25

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-09-13

    公开

    公开

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