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一种利用复合助熔剂生长锆钛锡酸铅镧单晶的方法

摘要

一种利用复合助熔剂生长锆钛锡酸铅镧单晶的方法,该方法首先按照Pb1-xLax(ZryTizSnL-y-z)O3(0<x<1,0<y<1,0<z<1)化学式确定x,y,z值后,按一定比例将锆钛锡酸铅镧原料与PbO+PbF2+B2O3复合助熔剂均匀混合后装入耐高温的密封容器中,然后将它们一并装入晶体生长系统中;通过控制晶体生长的工艺条件,可以生长出结晶完整的锆钛锡酸铅镧单晶。本发明采用密封体系能有效地抑制PbO组分挥发,方便地优化生长工艺参数,控制结晶速率和晶体中缺陷的大小、形状和数量。

著录项

  • 公开/公告号CN100390327C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-05-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN200510012300.2

  • 申请日2005-08-03

  • 分类号C30B9/04(20060101);C30B29/22(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 100084 北京市100084-82信箱

  • 入库时间 2022-08-23 09:00:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-09-23

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 9/04 授权公告日:20080528 终止日期:20140803 申请日:20050803

    专利权的终止

  • 2008-05-28

    授权

    授权

  • 2006-04-19

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-02-22

    公开

    公开

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