首页> 中国专利> 化学机械抛光用淤浆及其形成方法和半导体器件制造方法

化学机械抛光用淤浆及其形成方法和半导体器件制造方法

摘要

CMP用淤浆,它具有:液体;包含于此液体中的多种研磨粒子,此研磨粒子包含至少一种以上的有机粒子和至少一种以上的无机粒子,而此有机与无机粒子则通过热结合一体化。

著录项

  • 公开/公告号CN100402624C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-07-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社东芝;

    申请/专利号CN01122494.0

  • 申请日2001-07-13

  • 分类号C09K3/14(20060101);C08J5/14(20060101);H01L21/302(20060101);

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人王永刚

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-23 09:00:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-08-27

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C09K 3/14 授权公告日:20080716 终止日期:20130713 申请日:20010713

    专利权的终止

  • 2008-07-16

    授权

    授权

  • 2002-01-30

    公开

    公开

  • 2001-12-12

    实质审查的生效

    实质审查的生效

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