公开/公告号CN107093460B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-21
原文格式PDF
申请/专利权人 意法半导体(鲁塞)公司;
申请/专利号CN201610603037.2
发明设计人 F·塔耶特;
申请日2016-07-27
分类号
代理机构北京市金杜律师事务所;
代理人王茂华
地址 法国鲁塞
入库时间 2022-08-23 11:10:04
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-21
授权
授权
2017-09-19
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C16/10 申请日:20160727
实质审查的生效
2017-08-25
公开
公开
机译: EEPROM类型的存储器,可防止存取晶体管击穿的影响
机译: EEPROM保护免受存取晶体管击穿的影响
机译: EEPROM保护免受存取晶体管击穿的影响