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具有高自旋极化率的半金属磁性材料

摘要

本发明涉及一系列具有高自旋极化率的金属磁性材料,该系列材料具有化学式:MnxCoyNzMw,其中,N是III-V族元素,如:Al,Ga,In,Si,Ge,Sn,Sb等的一种或多种,M为过渡族元素,如:V,Cr,Fe,Ni等的一种或多种;2.2≥x≥1.8,1.2≥y>0,1.2≥z>0,0.99≥w≥0,x+y+z+w=4。所述的MnxCoyNzMw系列材料:自旋极化率最高的为100%,是典型的半金属磁性材料,最低的自旋极化率是80%。

著录项

  • 公开/公告号CN100392774C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-06-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院物理研究所;

    申请/专利号CN200510109166.8

  • 申请日2005-10-20

  • 分类号H01F1/047(20060101);H01L43/10(20060101);

  • 代理机构11003 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人尹振启

  • 地址 100080 北京市海淀区中关村南三街8号

  • 入库时间 2022-08-23 09:00:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-12-21

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01F 1/047 授权公告日:20080604 终止日期:20101020 申请日:20051020

    专利权的终止

  • 2008-06-04

    授权

    授权

  • 2006-05-17

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-03-22

    公开

    公开

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