具有用于高动态范围成像的嵌入式分裂像素的像素阵列

摘要

本申请涉及一种具有用于高动态范围成像的嵌入式分裂像素的像素阵列。一种像素单元包含第二光电二极管，所述第二光电二极管在半导体材料中横向环绕第一光电二极管。所述第一光电二极管及所述第二光电二极管适于响应于入射光而光生图像电荷。浮动扩散部安置在所述半导体材料中，接近所述第二光电二极管的外周界。第一转移栅极接近所述半导体材料而安置在介于所述第一光电二极管与所述第二光电二极管之间的第一沟道区域上方。所述第一转移栅极经耦合以将所述图像电荷从所述第一光电二极管转移到所述第二光电二极管。第二转移栅极接近所述半导体材料而安置在介于所述第二光电二极管与所述浮动扩散部之间的第二沟道区域上方。所述第二转移栅极经耦合以将所述图像电荷从所述第二光电二极管转移到所述浮动扩散部。