一种用于硅基快恢复二极管芯片的铂金掺杂方法

摘要

本发明公开了一种用于硅基快恢复二极管芯片的铂金掺杂方法，包括以下步骤：S1：提升芯片背面的粗糙度形成背面粗糙层，在背面粗糙层的下方生成P+层同时使得芯片背面硼浓度大于芯片正面硼浓度；S2：在背面粗糙层下方积淀厚度为50‑1000μm的铂金金属层；S3：将芯片置入扩散炉管或快速退火炉管中，退火温度设置为1000‑1100℃，退火时间为5秒‑30分钟；S4：去除芯片背面的背面粗糙层和P+层。该种铂金掺杂方法通过提升芯片背面的铂金浓度以及降低芯片正面铂金浓度来降低了高温扩铂金引发芯片正面出现反型的机率，从而有效控制了二极管反向漏电流，因此可以进一步提升铂金扩散的温度以实现Trr＜15ns。