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一种针对半导体材料的基于有序-无序相变的形状记忆方法

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本发明公开了一种针对半导体材料的基于有序‑无序相变的形状记忆方法，该方法通过控制无序相(高温相)的保温时间实现相变过程中的形状记忆与形状调控。在有序‑无序相变的升降温相变循环中，单晶Ag

著录项

公开/公告号CN110372029B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-07

原文格式PDF
申请/专利权人浙江大学;
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申请/专利号CN201910610540.4
发明设计人王勇;刘军;陈陆;杨杭生;张泽;
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申请日2019-07-08
分类号
代理机构杭州求是专利事务所有限公司;
代理人万尾甜
地址 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
入库时间 2022-08-23 11:08:31

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-08-07

授权

授权
2019-11-19

实质审查的生效 IPC(主分类):C01G5/00 申请日:20190708

实质审查的生效
2019-10-25

公开

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1. 一种针对半导体材料的基于有序-无序相变的形状记忆方法 [P] . 中国专利： CN110372029B . 2020.08.07
2. 一种针对半导体材料的基于有序-无序相变的形状记忆方法 [P] . 中国专利： CN110372029A . 2019-10-25
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