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基于等离子体-光交换模块的片上光交换结构

摘要

本发明提出了一种基于等离子‑光交换模块的片上光交换结构,用于解决现有技术中存在的光交换结构面积较大以及难以进行增量扩展的技术问题;该结构包括硅基光波导、等离子‑光交换模块,其中多根硅基光波导位于同一平面内且平行排列,相邻硅基光波导之间设置有特殊排布的等离子‑光交换模块,形成由N根硅基光波导组成的光交换结构;本发明采用等离子‑光交换模块和硅基光波导平行排布方法,充分利用等离子‑光交换模块面积小、横纵比大的特点,以及硅基光波导平行排布的增量扩展特性,使得光交换结构面积减小并具有增量扩展的特性。

著录项

  • 公开/公告号CN110456455B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安电子科技大学;

    申请/专利号CN201910618044.3

  • 申请日2019-07-10

  • 分类号G02B6/35(20060101);

  • 代理机构61205 陕西电子工业专利中心;

  • 代理人陈宏社;王品华

  • 地址 710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

  • 入库时间 2022-08-23 11:08:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-04

    授权

    授权

  • 2019-12-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02B6/35 申请日:20190710

    实质审查的生效

  • 2019-11-15

    公开

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