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金纳米片-金纳米球二聚体的制备及其在强偏振依赖法诺共振的应用

摘要

本发明公开了一种金纳米片‑金纳米球二聚体的制备及其在强偏振依赖法诺共振的应用,目的在于解决自上而下方法制备金属纳米结构表面等离子体性质差,而现有自下而上方法制备的纳米结构难以有效控制的问题,以及因为强偏振依赖法诺共振难以有效产生与调控的困难。针对前述背景技术中提到的现有能产生强偏振依赖法诺共振金属纳米结构存在表面等离子体共振性质差等缺点的技术问题,提供一种自下而上的制备金纳米片‑金纳米球二聚体的方法,其具有操作简便的特点。同时,所制备的二聚体兼具易于制备和可产生易调控的强偏振依赖法诺共振的特性,在实际应用中更具吸引力。本发明的二聚体作为目前最简单结构产生强偏振依赖法诺共振,具有重要的应用价值。

著录项

  • 公开/公告号CN108594341B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201810606679.7

  • 发明设计人 秦风;严志洋;蔡金良;马弘舸;

    申请日2018-06-13

  • 分类号G02B5/00(20060101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构51214 成都九鼎天元知识产权代理有限公司;

  • 代理人詹永斌;沈强

  • 地址 621000 四川省绵阳市游仙区绵山路64号

  • 入库时间 2022-08-23 11:07:53

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-04

    授权

    授权

  • 2018-10-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02B5/00 申请日:20180613

    实质审查的生效

  • 2018-09-28

    公开

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