具有低击穿电压的瞬态电压抑制器

摘要

一个带有骤回控制和低电压穿通击穿模式的低电容瞬态电压抑制器，包括一个n+型衬底、一个在衬底上的第一外延层、一个形成在第一外延层中的掩埋层、一个在第一外延层上的第二外延层，以及一个形成在掩埋层下方第一外延层中的注入层。注入层在掩埋层上方延伸。第一沟槽位于掩埋层的一边和注入层的一边。第二沟槽位于掩埋层的另一边，并在注入层中延伸。第三沟槽位于注入层的另一边。一组源极区形成在第二外延层的顶面中。注入区形成在第二外延层中，第一注入区位于第一源极区下方。