一种直径8英寸及以上尺寸高质量SiC籽晶的制备方法

摘要

本发明涉及一种直径8英寸及以上尺寸高质量SiC籽晶的制备方法。该方法包括：小尺寸SiC晶片或SiC晶体切割，拼接，磨削、抛光，然后进行同质外延生长；所述同质外延生长分两个阶段进行：(1)侧向外延：在圆形拼接SiC籽晶拼接缝隙处进行侧向外延生长以填充拼接缝隙，(2)表面外延：在拼接缝隙填充完成后，改变生长条件，促进籽晶的(0001)面生长速率，大幅度降低籽晶生长面的缺陷密度，提高籽晶生长面的结晶质量，获得表面总厚度变化小、无裂缝、缺陷密度少的8英寸及以上尺寸的高质量SiC籽晶。