法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-24
授权
授权
2020-02-04
实质审查的生效 IPC(主分类):H02M3/335 申请日:20190927
实质审查的生效
2020-01-07
公开
公开
机译: 生长用于基于氮化镓的半导体电子器件的氮化镓半导体膜的方法,制造基于氮化镓的半导体电子器件的方法,外延衬底以及基于氮化镓的半导体电子器件
机译: -iii-氮化物-半导体晶体的制备方法,基于氮化镓的化合物半导体的制备方法,基于氮化镓的化合物半导体,发光器件由基于氮化镓的化合物半导体和使用的光源,发光半导体器件
机译: 使用基于氮化镓类化合物半导体的III族氮化物半导体晶体的制造方法,氮化镓类化合物半导体和氮化镓类化合物半导体发光器件的半导体发光器件的制造方法的光源