公开/公告号CN107403865B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-07-14
原文格式PDF
申请/专利权人 上海磁宇信息科技有限公司;
申请/专利号CN201610332823.3
发明设计人 张云森;
申请日2016-05-18
分类号
代理机构上海容慧专利代理事务所(普通合伙);
代理人于晓菁
地址 201800 上海市嘉定区城北路235号二号楼二层
入库时间 2022-08-23 11:05:16
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-14
授权
授权
2018-05-25
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L43/12 申请日:20160518
实质审查的生效
2017-11-28
公开
公开
机译: 用于自旋转移矩MRAM器件的双重图案化和蚀刻磁性隧道结结构的方法
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