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一种高带宽下提高DDR RAM接口带宽的FPGA实现方法

摘要

本发明公开了一种高带宽下提高DDR RAM接口带宽的FPGA实现方法,包括以下步骤:1)计算并行级联的DDR RAM数量;2)采用FPGA设计mController,包括:2.1)生成刷新ZQ模块,用于多个DDR RAM周期刷新和ZQ同步;2.2)生成写命令模块,生成DDR RAM写命令,用于对并行级联的DDR RAM写地址统一管理;2.3)生成读命令模块,生成DDR RAM读命令,用于对并行级联DDR RAM的读地址统一管理;2.4)读同步判断模块,用来同步对齐DDR RAM返回的数据组合成新数据输出。采用mController将拆分后的数据写入并行级联的外部存储器,控制数据的同步写入和同步读出,并将数据整合成新的数据输出,提高了高带宽下DDR RAM的接口带宽,大于单个DDR RAM位宽的输入数据也能够被DDR RAM缓存,建立了高速的数据传输通道。

著录项

  • 公开/公告号CN107133407B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-07-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 成都欧飞凌通讯技术有限公司;

    申请/专利号CN201710330941.5

  • 发明设计人 马彬;

    申请日2017-05-11

  • 分类号G06F30/34(20200101);G11C16/10(20060101);

  • 代理机构51228 成都君合集专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人张鸣洁

  • 地址 610000 四川省成都市高新区云华路333号3栋3层

  • 入库时间 2022-08-23 11:04:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-10

    授权

    授权

  • 2017-09-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20170511

    实质审查的生效

  • 2017-09-05

    公开

    公开

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