基于图形化Si衬底的LED外延片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于图形化Si衬底的LED外延片及其制备方法，所述LED外延片包括：图形化Si衬底、生长在图形化Si衬底上的Al₂O₃涂层；在Al₂O₃涂层上依次生长出成核层、第一缓冲层、第一插入层、第二缓冲层、第二插入层、n‑GaN层、InGaN/GaN量子阱层、p‑GaN层、与n‑GaN层电连接的n电极、以及与p‑GaN层电连接的p电极。本发明更适用于制备大尺寸的LED外延片，且晶体质量提高，LED管芯的光提取效率提升。