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间接加热式阴极离子源及与其一起使用的装置

摘要

本发明提供一种间接加热式阴极离子源及与其一起使用的装置。间接加热式阴极(IHC)离子源包括具有位于相对的两个端部上的阴极及斥拒极的离子源室。离子源室由具有非常低的导电率的陶瓷材料构造而成。导电衬垫可被插入至离子源室中且可覆盖离子源室的三个侧。衬垫可电连接至含有提取孔的面板。阴极与斥拒极的电连接穿过陶瓷材料中的孔。这样一来,由于不存在起弧的风险,因此,孔可尽可能地被制作成比原本小。在某些实施例中,电连接被模制至离子源室中或被压配合于孔中。此外,用于离子源室的陶瓷材料更耐用且向所提取离子束引入的污染物更少。

著录项

  • 公开/公告号CN108475606B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-06-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 瓦里安半导体设备公司;

    申请/专利号CN201680079582.4

  • 发明设计人 奎格·R·钱尼;奈尔·J·巴森;

    申请日2016-12-19

  • 分类号

  • 代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司;

  • 代理人杨文娟

  • 地址 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号(邮政编码:01930)

  • 入库时间 2022-08-23 11:03:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-30

    授权

    授权

  • 2018-09-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J37/16 申请日:20161219

    实质审查的生效

  • 2018-08-31

    公开

    公开

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