一种基于二维二硫化钼-二硫化铼异质结的光电子器件、制备方法及应用

摘要

本发明公开了一种基于二维MoS₂‑ReS₂异质结的光电子器件，包括：N型本证衬底层；设置于所述N型本证衬底层上的绝缘层；设置于所述绝缘层上的MoS₂层和ReS₂层，所述MoS₂层与所述ReS₂层范德瓦尔斯接触，形成MoS₂‑ReS₂异质结；设置于所述ReS₂层的第一金属过渡层，设置在所述MoS₂层上的第二金属过渡层；以及，设置于所述第一过渡金属层和第二过渡金属层上的电极层；所述MoS₂层为MoS₂单晶层，所述ReS₂层包括3～10层ReS₂单晶层；所述第一金属过渡层的材料与多数第二金属过渡层的材料不同。还公开了一种制备上述光电子器件的方法。该光电子器件具有极低漏电流，高开关比，极强弱光探测性能。