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钴铁合金在磁电容中的应用、磁电容单元、磁电容器件及其制备方法

摘要

本发明公开一种钴铁合金在磁电容中的应用,所述应用是指以钴铁合金为靶材通过磁控溅射镀膜形成多层纳米级磁性膜,作为磁电容两电极之间的磁导电层;所述钴铁合金中,钴和铁的原子比例为6.5~7.2:3.5~2.8。本发明还公开了一种磁电容单元以及磁电容器件。本发明以原子比例为6.5~7.2:3.5~2.8的钴铁合金为靶材,结合磁控溅射镀膜技术,制得的多层纳米级薄膜磁化一次就能保持良好磁性,而且在高温下也能保有良好磁性,用于半导体磁能存储电容器中,一次激活就可存储大量的电能,可用于开发无须往复充电的无源磁能超级电容器。

著录项

  • 公开/公告号CN110190044B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-06-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 朱广琼;燕俊羽;

    申请/专利号CN201910635394.0

  • 发明设计人 朱广琼;燕俊羽;

    申请日2019-07-15

  • 分类号H01L23/64(20060101);

  • 代理机构31292 上海领洋专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人罗晓鹏

  • 地址 200093 上海市杨浦区延吉中路118弄22号701室

  • 入库时间 2022-08-23 11:03:19

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-26

    授权

    授权

  • 2019-11-12

    著录事项变更 IPC(主分类):H01L23/64 变更前: 变更后: 申请日:20190715

    著录事项变更

  • 2019-11-12

    专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L23/64 登记生效日:20191024 变更前: 变更后: 申请日:20190715

    专利申请权、专利权的转移

  • 2019-09-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/64 申请日:20190715

    实质审查的生效

  • 2019-08-30

    公开

    公开

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