首页> 中国专利> 一种钴铁合金靶材、磁导电层、磁电容单元、磁电容器件及其制备方法

一种钴铁合金靶材、磁导电层、磁电容单元、磁电容器件及其制备方法

摘要

本发明公开一种钴铁合金靶材,用于磁控溅射渡膜,其为原子比例为6.5~8.5:3.5~1.5的钴和铁混合制成的合金。本发明还公开了由所述钴铁合金靶材制成磁导电层、磁电容单元以及磁电容器件。其由于钴的存在,由本发明所述钴铁合金靶材具有较佳的耐磨性能、切削性能和耐热性能,用于磁控溅射渡膜,制得的多层纳米级薄膜磁化一次就能保持良好磁性,而且在高温下也能保有良好磁性,用于半导体磁能存储电容器中,可使磁电容器件的储存电能量从10

著录项

  • 公开/公告号CN109887902A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-06-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 朱广琼;燕俊羽;高湛勋;

    申请/专利号CN201910179110.1

  • 发明设计人 朱广琼;燕俊羽;高湛勋;

    申请日2019-03-11

  • 分类号

  • 代理机构上海领洋专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人罗晓鹏

  • 地址 200093 上海市杨浦区延吉中路118弄22号701室

  • 入库时间 2024-02-19 11:32:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-23

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L23/64 申请公布日:20190614 申请日:20190311

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2019-07-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/64 申请日:20190311

    实质审查的生效

  • 2019-06-14

    公开

    公开

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