瞬态抑制二极管的制造方法和瞬态抑制二极管

摘要

本发明提出了一种瞬态抑制二极管的制造方法和一种瞬态抑制二极管，其中，瞬态抑制二极管的制造方法包括：在衬底上生长掺杂硅层；在所述掺杂硅层和所述衬底上刻蚀多个深沟槽，且多个所述深沟槽中的每个所述深沟槽的底部均位于所述衬底内；在多个深沟槽中的每个所述深沟槽中生长氧化层；在多个所述深沟槽中的任意两个相邻的深沟槽之间进行离子注入和/或扩散，以形成P型区域或N型区域；在所述P型区域或所述N型区域上刻蚀接触孔，以在所述接触孔内制备金属层。通过本发明的技术方案，可以降低瞬态抑制二极管的寄生电容、减少瞬态抑制二极管对电路的干扰，降低高频电路信号的衰减，提高TVS的反向特性，提高器件可靠性并降低器件成本。