一种实现芯片互联超高带宽的方法及芯片互联结构

摘要

本发明揭示了一种实现芯片互联超高带宽的方法及芯片互联结构，方法包括采用位于晶圆顶部的至少两层金属层作为互联线的布线层，根据两层金属层的连线间距、互联线的线宽，以及每个互联线的带宽计算达到目标互联带宽时互联线需要占用芯片边长的长度，使两芯片上需要互联的端部相对设置，根据互联线需要占用芯片边长的长度将两芯片进行互联。本发明可使芯片互联后获得超过12.8Tbps的互联带宽，适用于边长为10mm～30mm的芯片互联。