一种在CMOS标准工艺下的生物化学传感器

摘要

本发明公开了一种在CMOS标准工艺下的生物化学传感器，包括底座、离子敏感场效应晶体管、金属层、接触层、电极；离子敏感场效应晶体管设置在底座上；晶体管包括在CMOS多晶硅层形成的多晶硅沟道，多晶硅沟道两端分别连接源极和漏极，源极和漏极再通过接触层与金属层连接；多晶硅沟道的多晶硅沟道区域暴露出来接触电解质溶液；电极接触电解质溶液，为多晶硅沟道提供栅极电压。本发明的多晶硅传感器具有很高的灵敏度，采用CMOS工艺大幅提高传感器的重复性，降低了器件误差，降低生产成本。本发明的微型传感器很适合环境物联网，农业物联网，及生物检测等广泛应用。