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应用非易失性铁电存储器的交错控制装置

摘要

本发明公开了应用非易失性铁电存储器的交错控制装置。更具体地说,公开了一种应用非易失性铁电寄存器的存储器交错结构,所述非易失性铁电寄存器配置用于独立控制存储体的交错。在本发明的一个实施例中,通过应用单非易失性铁电存储器芯片,多存储体非易失性铁电存储器芯片或者多存储体交错非易失性铁电存储器芯片,可以独立控制每一存储体的交错部分,由此减少了由于行访问时间和恢复时间而引起的系统访问等待时间。

著录项

  • 公开/公告号CN100359598C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-01-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 海力士半导体有限公司;

    申请/专利号CN03125562.0

  • 发明设计人 姜熙福;

    申请日2003-07-31

  • 分类号

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人王志森

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 09:00:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-10-01

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C 11/22 授权公告日:20080102 终止日期:20130731 申请日:20030731

    专利权的终止

  • 2008-01-02

    授权

    授权

  • 2004-09-22

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-07-14

    公开

    公开

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