半导体基板中增加储存电容之电容器排列

摘要

与在DRAM内存胞元的习知电容器相较，本电容器排列不需占据在半导体基板(2)的额外面积，即具增加电容。根据本发明电容器(8、9)的排列系基于于该基板(2)的二或更多个别排列个别电容器以形成一在另一内或一在另一上的二或更多电容器。在此情况下，外部电容器(8)围绕至少一或许多内部电容器(9)或是相当部份的上方电容器位于下方电容器上。根据本发明电容器排列的制造方法被叙述。