公开/公告号CN108789892B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-02
原文格式PDF
申请/专利权人 浙江贝盛新材料科技有限公司;
申请/专利号CN201810834889.1
发明设计人 邱小永;
申请日2018-07-26
分类号
代理机构杭州新源专利事务所(普通合伙);
代理人李大刚
地址 313009 浙江省湖州市吴兴区织里镇珍贝路800号
入库时间 2022-08-23 11:00:18
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-02
授权
授权
2018-12-07
实质审查的生效 IPC(主分类):B28D5/02 申请日:20180726
实质审查的生效
2018-11-13
公开
公开
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机译: 一种生产硅片的方法,该硅片包含硅的单晶基板,该硅基板具有正反面和沉积在正反面上的SiGe层
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