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一种高热电性能的聚合物薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种高热电性能的聚合物薄膜的制备方法,该方法将高氧化掺杂态的PEDOT‑Tos‑PPP薄膜置入具有还原性的卤化试剂中进行后处理,除去薄膜中的绝缘相PPP和掺杂离子Tos,并以卤化离子作为新的掺杂离子进入PEDOT链结构中,洗涤烘干后,得到高热电性能的聚合物薄膜。与现有技术相比,本发明具有热电性能优异、制备工艺简单易行等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN105418954B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-06-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 同济大学;

    申请/专利号CN201510829924.7

  • 发明设计人 蔡克峰;王娇;宋海军;

    申请日2015-11-25

  • 分类号C08J7/14(20060101);C08J5/18(20060101);C08L65/00(20060101);C08L53/00(20060101);C08G61/12(20060101);

  • 代理机构31225 上海科盛知识产权代理有限公司;

  • 代理人林君如

  • 地址 200092 上海市杨浦区四平路1239号

  • 入库时间 2022-08-23 11:00:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-02

    授权

    授权

  • 2016-04-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):C08J7/14 申请日:20151125

    实质审查的生效

  • 2016-03-23

    公开

    公开

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