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一种石墨烯纳米片结构缺陷修复与片间拼接方法

摘要

一种石墨烯纳米片结构缺陷修复与片间拼接方法,首先配制含有镍离子的生长液,通过微波加热法在硅基底表面生长镍纳米粒子薄膜;然后将石墨烯纳米片与乙醇配置成混合液,将混合液匀速挤出到去离子水表面,获得悬浮在去离子水表面的石墨烯纳米片,转移悬浮在去离子水表面的石墨烯纳米片到硅基底上面的镍纳米粒子薄膜表面,对带有石墨烯纳米片及镍纳米粒子薄膜的硅基底进行烘干处理;最后对烘干后的带有石墨烯纳米片及镍纳米粒子薄膜的硅基底进行退火处理,快速冷却至室温;使用腐蚀液去除镍纳米粒子薄膜,获得大幅面高质量石墨烯薄膜;本发明实现了对微纳米石墨烯片进行结构缺陷修复与片间的拼接,工艺简单、可靠。

著录项

  • 公开/公告号CN109336099B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-05-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安交通大学;

    申请/专利号CN201811139177.4

  • 申请日2018-09-28

  • 分类号C01B32/194(20170101);

  • 代理机构61215 西安智大知识产权代理事务所;

  • 代理人贺建斌

  • 地址 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号

  • 入库时间 2022-08-23 10:59:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-22

    授权

    授权

  • 2019-03-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01B32/194 申请日:20180928

    实质审查的生效

  • 2019-02-15

    公开

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