一种交叉开关结构阻变式存储器性能优化方法及系统

摘要

本发明公开了一种交叉开关结构阻变式存储器性能优化方法，属于计算机存储器技术领域。本发明方法针对交叉开关结构的阻变式存储器，在存储体内部的每个阵列的位线两端都设计写驱动，上端的写驱动使能阵列上半部分的ReRAM单元，而下端的写驱动使能阵列下半部分的ReRAM单元，同时根据阵列内部不同行延迟不同的特性，将阵列进行快慢区域划分，将热数据映射到快区域，将冷数据映射到慢区域，快区域中确保写入的二进制“0”最少；在慢区域内确保写入的二进制“0”最多。本发明还实现了一种交叉开关结构阻变式存储器性能优化系统。本发明技术方案最大化地降低了ReRAM的访问延迟，提升了ReRAM阵列的可靠性。