氢半导体传感器气敏元件及其制作方法

摘要

本发明涉及一种对氢气敏感的半导体传感器敏感元件及其制作方法，属半导体传感器气敏元件制造工艺技术领域。该制作方法的特征在于：采用射频溅射工艺在Si(100)片上制备n-SnO_2-x薄膜层，再在二氧化锡层上制备Pd-Ni层，形成Pd-Ni/SnO₂复合膜的气敏元件。本发明制备的Pd-Ni/SnO₂复合膜气敏元件，可在常温环境下，大大提高对氢气的选择性和灵敏性。本发明可以提供一种制造工艺简便，价格低廉的半导体气敏元件的制作方法。