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减少单颗化半导体片芯中残余污染物的方法

摘要

本发明涉及减少单颗化半导体片芯中残余污染物的方法。在一个实施例中,通过将半导体晶片放置到承载带上、形成穿过半导体晶片的单颗化道以及减少半导体晶片上残余污染物的存在,从半导体晶片单颗化半导体片芯。

著录项

  • 公开/公告号CN105280473B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-05-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 半导体元件工业有限责任公司;

    申请/专利号CN201510297329.3

  • 发明设计人 J·M·都博;G·M·格里弗纳;

    申请日2015-06-03

  • 分类号

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人刘倜

  • 地址 美国亚利桑那

  • 入库时间 2022-08-23 10:58:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-19

    授权

    授权

  • 2017-04-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20150603

    实质审查的生效

  • 2016-01-27

    公开

    公开

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