具有不均匀栅极结构的FinFET器件结构及其形成方法

摘要

本发明实施例提供了一种FinFET器件结构。FinFET器件结构包括：形成在衬底上方的隔离结构和形成在衬底上方的鳍结构。FinFET器件结构包括形成在鳍结构上方的第一栅极结构和第二栅极结构，并且第一栅极结构在平行于鳍结构的方向上具有第一宽度，第二栅极结构在平行于鳍结构的方向上具有第二宽度，并且第一宽度小于第二宽度。第一栅极结构包括具有第一高度的第一功函数层。第二栅极结构包括具有第二高度的第二功函数层以及第一高度和第二高度之间的差距介于从约1nm至约6nm的范围内。本发明实施例涉及具有不均匀栅极结构的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构及其形成方法。