公开/公告号CN104701143B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-05-08
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN201410756796.3
申请日2014-12-10
分类号H01L21/027(20060101);
代理机构11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司;
代理人章社杲;李伟
地址 中国台湾新竹
入库时间 2022-08-23 10:57:42
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-05-08
授权
授权
2015-07-08
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/027 申请日:20141210
实质审查的生效
2015-07-08
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/027 申请日:20141210
实质审查的生效
2015-06-10
公开
公开
2015-06-10
公开
公开
机译: 双层硬掩模可实现强大的金属化轮廓
机译: 使用对应于用于形成凹部的掩模图案和用于形成沟槽的掩模图案的双层硬掩模制造半导体器件的方法
机译: 用于双层镶嵌蚀刻方案的双层金属硬掩模