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KDP类晶体生长参数的实时测量系统及其测量方法

摘要

一种KDP类晶体生长参数的实时测量系统及其测量方法,包括晶体生长槽、位于晶体生长槽内部的载晶架,载晶架通过载晶架连杆与位于晶体生长槽外部的旋转电机相连,晶体生长槽的侧壁开有观察窗,载晶架连杆上安装有编码器,观察窗外侧安装有相机,相机通过相机支架固定,编码器和相机都与计算机通信连接。该用于KDP类晶体生长参数的实时测量系统及其测量方法,可以实时准确得到晶体的尺寸、生长速度以及过饱和度,有利于科研人员掌握KDP类晶体的生长规律,优化KDP类晶体生长工艺和提高晶体质量,助力ICF装置的顺利完工。

著录项

  • 公开/公告号CN108680106B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-05-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201810620203.9

  • 申请日2018-06-15

  • 分类号G01B11/00(20060101);G01N5/00(20060101);G01P3/68(20060101);

  • 代理机构31317 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人张宁展

  • 地址 201800 上海市嘉定区清河路390号

  • 入库时间 2022-08-23 10:57:34

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-05

    授权

    授权

  • 2018-11-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01B11/00 申请日:20180615

    实质审查的生效

  • 2018-11-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01B 11/00 申请日:20180615

    实质审查的生效

  • 2018-10-19

    公开

    公开

  • 2018-10-19

    公开

    公开

  • 2018-10-19

    公开

    公开

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