首页> 中国专利> 一种ZnO/PdO复合表面传导电子发射膜及其制备方法

一种ZnO/PdO复合表面传导电子发射膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种ZnO/PdO复合表面传导电子发射膜及其制备方法,发射膜包括PdO膜层,PdO膜层上设置有ZnO籽晶层,ZnO籽晶层上生长有方向能够调控的ZnO纳米线层,ZnO纳米线层经过电形成过程能够产生具有许多发射尖端的纳米裂缝,使纳米裂缝处的电场增强。制备方法包括以下步骤:1)通过射频反应磁控溅射法在经过抛光处理的Si基片上沉积PdO膜层;2)通过射频反应磁控溅射法在沉积有PdO膜层的Si基片上沉积ZnO籽晶层;3)通过低温水浴法在ZnO籽晶层上按照电子发射方向生长ZnO纳米线。本发明能够有效提高发射效率,提升器件的显示质量及寿命,降低功耗和成本。

著录项

  • 公开/公告号CN108461368B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-04-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安交通大学;

    申请/专利号CN201810069692.3

  • 发明设计人 李雁淮;高磊雯;李晓华;

    申请日2018-01-24

  • 分类号

  • 代理机构西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人徐文权

  • 地址 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号

  • 入库时间 2022-08-23 10:56:56

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-04-28

    授权

    授权

  • 2018-09-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J31/12 申请日:20180124

    实质审查的生效

  • 2018-09-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 31/12 申请日:20180124

    实质审查的生效

  • 2018-08-28

    公开

    公开

  • 2018-08-28

    公开

    公开

  • 2018-08-28

    公开

    公开

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