一种基于可调谐半导体激光吸收谱的光程长度分析方法

摘要

本发明提供了一种基于可调谐半导体激光吸收谱的光程长度分析方法，其特征在于，包括以下步骤：1)根据环境温度计算氧气谱线多普勒线型宽度Δν_D；2)对实测的氧气谱线采用Voigt线型拟合算法计算洛伦兹线型宽度Δν_C、吸光度峰值；3)计算Voigt线型函数峰值φ_V(v₀)；4)按下式(I)计算线型中心频率v₀处的吸收系数Kv₀，5)将步骤2)中得到的吸光度峰值除以步骤4)中计算得到的吸收系数Kv₀，即可得到光程长度L。本发明的基于吸收光谱的光程长度测量方法能够较为精确的测量TDLAS实验中的光程长度，能够对安装在风洞内部测量系统的光路和密封的气室(如管式炉)等不能手工测量条件下进行光程长度测量，也可作为验证手段对其他方法测量的光程长度进行校正。