基于一维光子晶体耦合微腔的光学生物传感器制备方法

摘要

本发明公开了一种基于一维光子晶体耦合微腔的光学生物传感器制备方法，包括以下步骤：S1、清洗SOI样品；S2、将SOI样品放置在在170～200℃温度的恒温箱中烘2～5min；S3、采用旋涂的方式在样品上涂覆光刻胶；S4、将样品放置在在170～200℃温度的恒温箱中烘10～15min；S5、对样品进行电子束曝光，曝光图形为一维光子晶体耦合微环谐振腔结构；S6、对曝光处理后的样品依次进行显影、定影操作；S7、采用ICP对样品进行刻蚀操作；S8、对样品采用Piranha溶液清洗后，使用DI水冲洗，再采用HF溶液清洗，最后用DI水冲洗。本发明的制备方法制作的光学生物传感器具有灵敏度高、探测极限小、易于集成等特性，对设备要求简单，工艺上容易实现，适合大量生产。