一种扩散制结晶体硅太阳电池用的等离子刻边方法

摘要

一种扩散制结晶体硅太阳电池用的等离子刻边方法，通过在扩散源层沉积后进行等离子刻边，然后再进行高温扩散的方法，解决晶体硅太阳电池扩散制结易于造成的边缘漏电问题。本发明结合沉积固态源再进行高温扩散的方法，适用于n型单晶硅或多晶硅PERT太阳电池的制备，也可用于p型单晶硅或多晶硅的扩磷、扩硼等。经过这样的刻边过程，扩散后硅片只需采用常规的HF酸溶液即可方便去除变为氧化层的扩散源层，包括侧边的氧化层。彻底解决边缘漏电问题，且有现有晶体硅产线技术兼容，成本也很低。