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一种大气压放电等离子体射流制备黑硅的方法

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本发明公开了一种大气压放电等离子体射流制备黑硅的方法，包括以下步骤：将硅片置于等离子体射流放电溶液中，氧化硅片表面；将上述硅片依次置于HF、乙醇溶液中清洗后；放入NaOH溶液中抛光；然后放入NaOH与乙醇的混合液中制绒后，清洗；再放入等离子体射流放电的混合溶液中制成黑硅后，清洗、干燥；混合溶液包括金属盐催化剂与HF。其具有反应装置要求低、操作简便、成本低、常温下反应、便于实现大规模生产等优点，特别是生成的H

著录项

公开/公告号CN108321251B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-11-08

原文格式PDF
申请/专利权人河海大学常州校区;
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申请/专利号CN201810054495.4
发明设计人陈玉伟;陈秉岩;蒋永锋;何湘;朱昌平;田泽;刘昌裕;
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申请日2018-01-19
分类号
代理机构南京纵横知识产权代理有限公司;
代理人严晓彪
地址 213022 江苏省常州市晋陵北路200号
入库时间 2022-08-23 10:55:13

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-11-08

授权

授权
2018-08-17

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20180119

实质审查的生效
2018-08-17

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20180119

实质审查的生效
2018-07-24

公开

公开
2018-07-24

公开

公开
2018-07-24

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