首页> 中国专利> 一种磁场调制柯肯达尔效应制备中空/介孔纳米结构材料的方法

一种磁场调制柯肯达尔效应制备中空/介孔纳米结构材料的方法

摘要

本发明公开了一种磁场调制柯肯达尔效应制备中空/介孔纳米结构材料的方法,在利用柯肯达尔效应制备中空/介孔纳米结构材料的过程中,其中的水热反应步骤是在外加磁场条件下进行的。本发明利用外加磁场在较低的温度下大大缩短了利用柯肯达尔效应从实心纳米结构材料到中空/介孔纳米结构材料的转化时间,对于降低反应制备成本有巨大的效益价值,符合当前节约能源和保护环境的发展主题。

著录项

  • 公开/公告号CN107399738B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-04-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院合肥物质科学研究院;

    申请/专利号CN201710684802.2

  • 发明设计人 盛志高;卞跃成;丁伟;胡林;

    申请日2017-08-11

  • 分类号

  • 代理机构安徽合肥华信知识产权代理有限公司;

  • 代理人余成俊

  • 地址 230031 安徽省合肥市蜀山区蜀山湖路350号

  • 入库时间 2022-08-23 10:54:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-04-03

    授权

    授权

  • 2017-12-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01B33/02 申请日:20170811

    实质审查的生效

  • 2017-12-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 33/02 申请日:20170811

    实质审查的生效

  • 2017-11-28

    公开

    公开

  • 2017-11-28

    公开

    公开

  • 2017-11-28

    公开

    公开

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