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形成多孔膜的组合物,多孔膜和其制备方法,层间绝缘膜和半导体器件

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摘要

根据本发明，用半导体工艺中常用的方法，很容易制备任意控制膜厚的薄膜。本发明提供了形成多孔膜的涂覆液，该多孔膜具有优良的介电常数及机械特性。具体地，形成多孔膜的涂覆液是含有缩合物及有机溶剂的多孔膜组合物，所述的缩合物是从至少一种选自用通式(X₂O)_i(SiO₂)_j(H₂O)_k表示的硅酸盐化合物和用通式(X₂O)_a(RSiO_1.5)_b(H₂O)_c表示的有机硅酸盐化合物在酸存在下缩合得到的。由此可制造用于半导体制造工艺的，具有足够机械强度和介电常数的多孔绝缘膜。

著录项

公开/公告号CN100381526C

专利类型发明授权
公开/公告日2008-04-16

原文格式PDF
申请/专利权人信越化学工业株式会社;松下电器产业株式会社;
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申请/专利号CN200410031386.9
发明设计人荻原勤;八木桥不二夫;滨田吉隆;浅野健;岩渊元亮;中川秀夫;笹子胜;
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申请日2004-03-26
分类号C09D183/04(20060101);H01L21/312(20060101);
代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人王维玉;薛俊英
地址日本东京都
入库时间 2022-08-23 09:00:17

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2012-06-13

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C09D 183/04 授权公告日:20080416 终止日期:20110326 申请日:20040326

专利权的终止
2008-04-16

授权

授权
2006-05-24

实质审查的生效

实质审查的生效
2004-11-03

公开

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