一种双85抗PID多晶太阳能电池片的制作工艺

摘要

本发明提供了一种双85抗PID多晶太阳能电池片的制作工艺。它解决了现有光伏组件的PID现象较为严重，造成电池片和组件功率出现大幅度下降等技术问题。本双85抗PID多晶太阳能电池片的制作工艺，包括如下步骤：a、将经过清洗制绒、扩散、刻蚀后的晶体硅片通过臭氧发生装置在晶体硅片表面生成一层1‑2nm的SiO2氧化膜；b、将步骤a中完成的晶体硅片通过装卸片系统装到石墨舟上，将其放入管式PECVD进行预沉积；c、将步骤b中完成后的晶体硅片用管式PECVD进行沉积；d、将步骤c中完成后的晶体硅片用管式PECVD进行再次沉积；e、通过装卸片系统对石墨舟的晶体硅片进行冷却，并将晶体硅片取下。本发明具有产品性能好的优点。