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一种用阻变材料做隧穿层的自旋电子器件

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本发明涉及一种用阻变材料做隧穿层的自旋电子器件，该结构可以是磁隧道结、自旋注入构型等自旋电子结构的一部分。包括：铁磁金属电极；阻变隧穿层；铁磁金属电极或者自旋注入沟道。所述隧穿层，是在不同电压条件下电阻不同的阻变材料。包括但不限于氧化铪(HfO

著录项

公开/公告号CN106876395B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-02-14

原文格式PDF
申请/专利权人北京航空航天大学;
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申请/专利号CN201710047134.2
发明设计人林晓阳;罗枭;赵巍胜;张有光;
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申请日2017-01-22
分类号
代理机构北京慧泉知识产权代理有限公司;
代理人王顺荣
地址 100191 北京市海淀区学院路37号
入库时间 2022-08-23 10:50:08

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-02-14

授权

授权
2017-07-14

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/10 申请日:20170122

实质审查的生效
2017-07-14

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/10 申请日:20170122

实质审查的生效
2017-06-20

公开

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2017-06-20

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2017-06-20

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1. 一种用阻变材料做隧穿层的自旋电子器件 [P] . 中国专利： CN106876395B . 2020.02.14
2. 一种用阻变材料做隧穿层的自旋电子器件 [P] . 中国专利： CN106876395A . 2017-06-20
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