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共享全局性字线磁性随机存取存储器

摘要

本发明包括提供共享全局性字线MRAM结构的装置和方法。该MRAM结构包括取向为第一方向的第一位线导线。取向为第二方向的第一读出线导线。第一存储单元物理连接于第一位线导线和第一读出线导线之间。全局性字线基本取向为第二方向,而且磁性耦合于第一存储单元。第二位线导线基本取向为第一方向。第二读出线导线基本取向为第二方向。第二存储单元物理连接于第二位线导线和第二读出线导线之间。全局性字线也磁性耦合于第二存储单元。第一存储单元和第二存储单元可以是MRAM器件。MRAM器件的逻辑状态可由MRAM器件的磁化取向确定。

著录项

  • 公开/公告号CN100380519C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-04-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN03106026.9

  • 发明设计人 H·李;F·A·佩尔纳;

    申请日2003-02-20

  • 分类号

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人陶风波

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 09:00:11

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-04-09

    授权

    授权

  • 2004-11-10

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-09-03

    公开

    公开

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