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一种钍钨电极及在其表面渗透碳化二钨层的方法

摘要

一种钍钨电极及在其表面渗透碳化二钨层的方法,本发明涉及一种在渗透工艺,为提供一种带均匀、结构呈疏松细层状、厚度增大的碳化二钨层的电极,本发明提供了一种钍钨电极表面渗透碳化二钨层的方法,用乙酸丁酯、乙基纤维素和石墨粉制作涂覆溶液分多次涂覆,采用特殊手段烘干后得到结构为疏松细层状,厚度在60‑80µm的碳化二钨层。本发明的有益效果在于:(1)涂覆溶液安全无毒,制作简单;(2)渗碳操作简单方便;(3)加热时间短;(4)制作的渗碳层成分均为碳化二钨;(5)采用金相显微镜观察渗碳层厚度均匀约为60‑80µm,结构为疏松细层状,该结构有利于发射物质的迁移,提高灯管的寿命和性能。

著录项

  • 公开/公告号CN108376638B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-01-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳凯世光研股份有限公司;

    申请/专利号CN201810099411.9

  • 发明设计人 蔡志国;黄小琳;张榜;

    申请日2018-02-01

  • 分类号

  • 代理机构深圳市千纳专利代理有限公司;

  • 代理人袁燕清

  • 地址 518000 广东省深圳市宝安区西乡兴业路3012号老兵大厦西座二楼

  • 入库时间 2022-08-23 10:48:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-01-31

    授权

    授权

  • 2018-08-31

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J61/04 申请日:20180201

    实质审查的生效

  • 2018-08-31

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 61/04 申请日:20180201

    实质审查的生效

  • 2018-08-07

    公开

    公开

  • 2018-08-07

    公开

    公开

  • 2018-08-07

    公开

    公开

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