首页> 中国专利> 一种银铟镓硒薄膜及其制备方法和应用

一种银铟镓硒薄膜及其制备方法和应用

页面导航

摘要

本发明公开了一种银铟镓硒薄膜，包括衬底，衬底的表面上依次涂覆有Ag

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-01-17

授权

授权
2019-05-07

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L31/032 登记生效日:20190418 变更前: 变更后: 申请日:20180605

专利申请权、专利权的转移
2019-05-07

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 31/032 登记生效日:20190418 变更前: 变更后: 申请日:20180605

专利申请权、专利权的转移
2018-12-07

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/032 申请日:20180605

实质审查的生效
2018-12-07

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/032 申请日:20180605

实质审查的生效
2018-12-07

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/032 申请日:20180605

实质审查的生效
2018-11-13

公开

公开
2018-11-13

公开

公开
2018-11-13

公开

公开
2018-11-13

公开

公开

查看全部

1. 一种银铟镓硒薄膜及其制备方法和应用 [P] . 中国专利： CN108807572B . 2020.01.17
2. 一种银镓铟硒/氧化物薄膜电极的制备方法 [P] . 中国专利： CN110931259B . 2022.02.08
3. ---- A Method for Preparing Light Absorption Layer of copper-indium-gallium-sulfur-selenium Thin Film Solar Cells [P] . 韩国专利： KR101633388B1 . 2016-06-24

机译： ----一种铜铟镓硫硫硒薄膜太阳能电池光吸收层的制备方法
4. LAYER STRUCTURE COMPRISING COPPER LAYER, INDIUM-SILVER ALLOY LAYER AND ITS OXIDE LAYER ON IRON-CONTAINING SUBSTRATE, AND LAYER STRUCTURE COMPRISING COPPER LAYER, ALLOY LAYER OF INDIUM, SILVER AND AT LEAST ONE METAL SELECTED FROM GROUP CONSISTING OF Se, Sb, Co AND Ni ON IRON-CONTAINING SUBSTRATE, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME [P] . 日本专利： JP2014101540A . 2014-06-05

机译：包含铜的层，包含铟的银银合金层及其氧化物层的层结构，包含铜的层，包含铜，银和至少一种元素的硒，银和至少一种金属的合金层Ni含铁基质及其制备方法
5. Method for preparing light absorption layer of copper-indium-gallium-sulfur-selenium thin film solar cells [P] . 美国专利： US9735297B2 . 2017-08-15

机译：铜铟镓硫硒薄膜太阳能电池光吸收层的制备方法