一种超薄二硫化钼纳米片/硅纳米线异质结结构的制备方法

摘要

本发明提供了一种超薄二硫化钼纳米片/硅纳米线（SiNWs/MoS₂）异质结结构材料的制备方法，包括以下步骤：S1.清洗硅片；S2.通过金属纳米颗粒催化辅助刻蚀硅纳米线阵列；S3.将S2中制备得到的硅纳米线阵列作为衬底，以氧化钼与硫粉末为前驱体，退火生长得到超薄二硫化钼纳米片/硅纳米线异质结结构材料。本发明通过构建超薄二硫化钼（MoS₂）纳米片/硅纳米线异质结结构，可以有效的提高二硫化钼的催化活性位点密度，既有效提高了硅纳米线的光催化产氢效率又能增加其催化稳定性。该方法制备工艺简单易行，成本低廉，易于大规模生产。