单光子雪崩光电二极管时间延迟积分CMOS图像传感器

摘要

本发明涉及CMOS集成电路领域，为针对普通TDI技术对于微光条件下探测能力不足的问题，利用SPAD作为TDI图像传感器的像素使得探测更低光照情况下。同时，本发明又具有全局曝光时序设计简单等特点。本发明采用的技术方案是，单光子雪崩光电二极管时间延迟积分CMOS图像传感器，结构是由正方形的像素排列而成X乘Y的矩阵，其第i行第j列像素内部电路结构由SPAD单元和电路单元组成，SPAD单元由select信号控制，将外界信号源转换成脉冲信号；而一个像素共有N个电路单元，第k个电路单元中。本发明主要应用于CMOS集成电路设计制造场合。