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形成穿透电极的方法以及具有穿透电极的基片

摘要

一种形成穿透电极的方法,其中导电物质被置入一微孔中,该微孔只有一端被由导电物质形成的布线和垫片封住,而布线和垫片没有破损。在形成穿透电极的方法中,导电物质被置入微孔中,所述微孔穿透基片且一个开口被导电薄膜封住。在支撑导电薄膜的保护元件在基片的导电薄膜侧的表面上配置之后,导电物质从微孔的另一开口置入。

著录项

  • 公开/公告号CN100358114C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2007-12-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社藤仓;

    申请/专利号CN200310121267.8

  • 发明设计人 山本敏;滝沢功;

    申请日2003-12-17

  • 分类号

  • 代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人王学强

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-23 09:00:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-02-10

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/28 授权公告日:20071226 终止日期:20141217 申请日:20031217

    专利权的终止

  • 2007-12-26

    授权

    授权

  • 2005-10-12

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-07-28

    公开

    公开

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